Hydrodynamic modeling of electron transport in silicon quantum wires

Castiglione, Tina

(2016)

Hydrodynamic modeling of electron transport in silicon quantum wires.

[Tesi di dottorato]

Testo

Castiglione_Tina_28.pdf

Download (2MB)

| Anteprima

Abstract

In questa tesi un modello idrodinamico per il trasporto di elettroni nei fili quantici al silicio (SiNW) è presentato. Tale modello è stato formulato considerando i momenti derivanti dall’equazione cinetica di Boltzmann e chiudendo il sistema dei momenti ottenuto per mezzo del Principio di Massima Entropia della Termodinamica Estesa. Questo modello di trasporto include necessariamente l’equazione di Schroedinger bidimensionale accoppiata all’equazione di Poisson 3D. Al fine di testare il modello, simulazioni numeriche per SiNW transistors sono
eseguite. Importanti proprietà in tali dispositivi, come la mobilità elettronica, sono studiate e i risultati ottenuti sono confrontati con quelli conseguiti usando
approcci diversi nella simulazione di dispositivi elettronici basati sui nanowires.

Actions (login required)

Modifica documento